Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI7123DN-T1-GE3-HXY
Артикул:
SI7123DN-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
0
84.62р.
Ciss-Input Capacitance
2.8nF
Current - Continuous Drain(Id)
60A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
2.8nF
Current - Continuous Drain(Id)
60A
Drain to Source Voltage
20V
Gate Charge(Qg)
35nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
690pF
Package
DFN3x3-8L
Pd - Power Dissipation
22W
RDS(on)
10mΩ@4.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
590pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SI4431CDY-T1-GE3-HXY
SI4431CDY-T1-GE3-HXY
30
21.11р.
HXY MOSFET SI9435BDY-T1-E3-HXY
SI9435BDY-T1-E3-HXY
230
21.11р.
HXY MOSFET ZXMN3A04DN8-HXY
ZXMN3A04DN8-HXY
10
28.74р.
HXY MOSFET IRL6372PBF-HXY
IRL6372PBF-HXY
115
81.30р.
HXY MOSFET AON6236-HXY
AON6236-HXY
415
28.31р.