Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI2312DS-T1-GE3-VB
Артикул:
SI2312DS-T1-GE3-VB
Производитель:
VBsemi Elec
130
6.29р.
Ciss-Input Capacitance
865pF
Current - Continuous Drain(Id)
6A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
865pF
Current - Continuous Drain(Id)
6A
Drain to Source Voltage
20V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
8.8nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
10
Multiple
10
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
105pF
Package
SOT-23(TO-236)
Pd - Power Dissipation
2.1W
RDS(on)
22mΩ@4.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
55pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
VBsemi Elec SI2308BDS-T1-GE3-VB
SI2308BDS-T1-GE3-VB
125
21.02р.
VBsemi Elec SI2307DS-T1-GE3-VB
SI2307DS-T1-GE3-VB
80
8.88р.
VBsemi Elec SI2306DS-T1-GE3-VB
SI2306DS-T1-GE3-VB
1550
9.39р.
VBsemi Elec SI2301ADS-T1-GE3-VB
SI2301ADS-T1-GE3-VB
1430
6.12р.
VBsemi Elec SI1917EDH-T1-GE3-VB
SI1917EDH-T1-GE3-VB
1950
15.72р.