Код товара:
PPM6N12V10Артикул:
PPM6N12V10Производитель:
Shanghai Prisemi ElecКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит PPM6N12V10 PDF
46625
11.08р.
Output Capacitance(Coss)
735pFPd - Power Dissipation
2.4W12V 10A 2.4W Surface Mount DFN2x2-6L
Официальный технический даташит Shanghai Prisemi Elec PPM6N12V10 (артикул PPM6N12V10): Даташит PPM6N12V10 PDF.
Характеристики
Output Capacitance(Coss)
735pF
Pd - Power Dissipation
2.4W
Operating Temperature
-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage
12V
Current - Continuous Drain(Id)
10A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
655pF
RDS(on)
80mΩ@1.8V
Number
1 P-Channel
Input Capacitance(Ciss)
3.405nF
Gate Charge(Qg)
29nC@4.5V
Vgs
±8V
Type
P-Channel
Package
DFN2x2-6L
Minimum
5
Multiple
5
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
