Код товара:
R6515ENJTLАртикул:
R6515ENJTLПроизводитель:
ROHMКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит R6515ENJTL PDF
36996
202.16р.
Drain to Source Voltage
650VCurrent - Continuous Drain(Id)
15A650V 15A 4V 184W 315mΩ@10V 1 N-channel TO-263-3 Single FETs, MOSFETs RoHS
Официальный технический даташит ROHM R6515ENJTL (артикул R6515ENJTL): Даташит R6515ENJTL PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
650V
Current - Continuous Drain(Id)
15A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Pd - Power Dissipation
184W
RDS(on)
315mΩ@10V
Number
1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)
910pF
Gate Charge(Qg)
40nC@10V
Package
TO-263-3
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
1000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
