Код товара:
HL5N10Артикул:
HL5N10Производитель:
R+OКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит HL5N10 PDF
2964
4.83р.
Drain to Source Voltage
100VOperating Temperature -
-55℃~+150℃100V 100mΩ@10V 1.4W SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS
Официальный технический даташит R+O HL5N10 (артикул HL5N10): Даташит HL5N10 PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
100V
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Type
N-Channel
Ciss-Input Capacitance
218pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
22pF
RDS(on)
100mΩ@10V
Pd - Power Dissipation
1.4W
Gate Charge(Qg)
4nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)
5A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.6V
Package
SOT-23
Minimum
10
Multiple
10
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
