Код товара:
HB06N330SАртикул:
HB06N330SПроизводитель:
R+OКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит HB06N330S PDF
54089
10.15р.
Drain to Source Voltage
60VOperating Temperature -
-55℃~+150℃60V 33mΩ@10V 1 N-channel 45W TO-252 Single FETs, MOSFETs RoHS
Официальный технический даташит R+O HB06N330S (артикул HB06N330S): Даташит HB06N330S PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
60V
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Ciss-Input Capacitance
1.385nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
70pF
RDS(on)
33mΩ@10V
Number
1 N-channel
Output Capacitance(Coss)
88pF
Pd - Power Dissipation
45W
Gate Charge(Qg)
23.3nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)
30A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.6V
Package
TO-252
Minimum
5
Multiple
5
Standard Packaging
2500
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
