Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
FCP260N65S3-VB
Артикул:
FCP260N65S3-VB
Производитель:
VBsemi Elec
10
156.90р.
Ciss-Input Capacitance
2.1nF
Current - Continuous Drain(Id)
12A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
2.1nF
Current - Continuous Drain(Id)
12A
Drain to Source Voltage
650V
Gate Charge(Qg)
70nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
80pF
Package
TO-220AB
Pd - Power Dissipation
210W
RDS(on)
360mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
4pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
50
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HAO3415
HAO3415
30
6.66р.
HXY MOSFET HIRFR3707ZTRPBF
HIRFR3707ZTRPBF
15
32.79р.
HXY MOSFET HNTR3C21NZT1G
HNTR3C21NZT1G
20
13.60р.
HXY MOSFET HDMP2240UW7
HDMP2240UW7
60
12.52р.
HXY MOSFET HFDD050N03B
HFDD050N03B
45
31.84р.