Код товара:
MDD4N60DАртикул:
MDD4N60DПроизводитель:
MDD(Microdiode Semiconductor)Категория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит MDD4N60D PDF
22100
18.75р.
Drain to Source Voltage
600VConfiguration
Half-Bridge600V 4A 4V 100W 1.75Ω@10V 1 N-channel N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs
Официальный технический даташит MDD(Microdiode Semiconductor) MDD4N60D (артикул MDD4N60D): Даташит MDD4N60D PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
600V
Configuration
Half-Bridge
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Output Capacitance(Coss)
61pF
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Pd - Power Dissipation
100W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
10pF
RDS(on)
1.75Ω@10V
Number
1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)
600pF
Gate Charge(Qg)
12nC@10V
Type
N-Channel
Package
TO-252
Minimum
5
Multiple
5
Standard Packaging
2500
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
