Код товара:
IPP50R199CPXKSA1Артикул:
IPP50R199CPXKSA1Производитель:
InfineonКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит IPP50R199CPXKSA1 PDF
83848
145.24р.
Output Capacitance(Coss)
80pFPd - Power Dissipation
139W139W 550V 17A 3.5V 199mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-220-3 Single FETs, MOSFETs RoHS
Официальный технический даташит Infineon IPP50R199CPXKSA1 (артикул IPP50R199CPXKSA1): Даташит IPP50R199CPXKSA1 PDF.
Характеристики
Output Capacitance(Coss)
80pF
Pd - Power Dissipation
139W
Drain to Source Voltage
550V
Operating Temperature
-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)
17A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3.5V
RDS(on)
199mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
11pF
Number
1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)
1.8nF
Gate Charge(Qg)
34nC
Vgs
±20V
Type
N-Channel
Package
TO-220-3
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
500
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
