Код товара:
HXY10N65FАртикул:
HXY10N65FПроизводитель:
HXY MOSFETКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит HXY10N65F PDF
33854
38.52р.
Configuration
StandaloneOperating Temperature
-55℃~+150℃N-Channel 650V 10A 40W Through Hole TO-220F
Официальный технический даташит HXY MOSFET HXY10N65F (артикул HXY10N65F): Даташит HXY10N65F PDF.
Характеристики
Configuration
Standalone
Operating Temperature
-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage
650V
Output Capacitance(Coss)
128pF
Current - Continuous Drain(Id)
10A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Pd - Power Dissipation
40W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
7pF
RDS(on)
860mΩ@10V
Number
1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)
1.642nF
Gate Charge(Qg)
32nC@10V
Type
N-Channel
Package
TO-220F
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
50
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
