Код товара:
HYG054N09NS1BАртикул:
HYG054N09NS1BПроизводитель:
HUAYIКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит HYG054N09NS1B PDF
14306
53.68р.
Output Capacitance(Coss)
669pFPd - Power Dissipation
187.5WN-Channel 85V 135A 187.5W Surface Mount TO-263-2L
Официальный технический даташит HUAYI HYG054N09NS1B (артикул HYG054N09NS1B): Даташит HYG054N09NS1B PDF.
Характеристики
Output Capacitance(Coss)
669pF
Pd - Power Dissipation
187.5W
Operating Temperature
-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage
85V
Current - Continuous Drain(Id)
135A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
59pF
RDS(on)
5.8mΩ@10V
Number
1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)
5.067nF
Gate Charge(Qg)
88.5nC@10V
Vgs
±20V
Type
N-Channel
Package
TO-263-2L
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
800
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
