Код товара:
HYG025N06LS2BАртикул:
HYG025N06LS2BПроизводитель:
HUAYIКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит HYG025N06LS2B PDF
57174
72.06р.
Drain to Source Voltage
60VOperating Temperature -
-55℃~+175℃N-Channel 60V 145A 125W Surface Mount TO-263-2L
Официальный технический даташит HUAYI HYG025N06LS2B (артикул HYG025N06LS2B): Даташит HYG025N06LS2B PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
60V
Operating Temperature -
-55℃~+175℃
Type
N-Channel
Ciss-Input Capacitance
4.381nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
10pF
RDS(on)
5.2mΩ@4.5V
Number
1 N-channel
Output Capacitance(Coss)
1.101nF
Pd - Power Dissipation
125W
Gate Charge(Qg)
69.8nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)
145A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3V
Package
TO-263-2L
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
800
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
