Код товара:
HYG025N04NA1DАртикул:
HYG025N04NA1DПроизводитель:
HUAYIКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит HYG025N04NA1D PDF
67133
40.04р.
Drain to Source Voltage
40VOperating Temperature -
-55℃~+175℃N-Channel 40V 125A 86W Surface Mount TO-252-2L
Официальный технический даташит HUAYI HYG025N04NA1D (артикул HYG025N04NA1D): Даташит HYG025N04NA1D PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
40V
Operating Temperature -
-55℃~+175℃
Type
N-Channel
Ciss-Input Capacitance
5.625nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
569pF
RDS(on)
3mΩ@10V
Number
1 N-channel
Output Capacitance(Coss)
774pF
Pd - Power Dissipation
86W
Gate Charge(Qg)
122.6nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)
125A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Package
TO-252-2L
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
2500
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
