Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
DMTH10H025LPS-13
Артикул:
DMTH10H025LPS-13
Производитель:
DIODES
54430
73.29р.
Operating Temperature
-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage
100V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе
100V 3V 23mΩ@10V 1 N-channel PowerDI5060-8 Single FETs, MOSFETs RoHS

Официальный технический даташит DIODES DMTH10H025LPS-13 (артикул DMTH10H025LPS-13): Даташит DMTH10H025LPS-13 PDF.

Характеристики

Operating Temperature
-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage
100V
Current - Continuous Drain(Id)
9.3A;45A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3V
Pd - Power Dissipation
3.2W;79W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
20pF
RDS(on)
23mΩ@10V
Number
1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)
1.477nF
Gate Charge(Qg)
21nC@10V
Package
PowerDI5060-8
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
2500
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SI2301-HXY
SI2301-HXY
86184
2.35р.
HXY MOSFET SI2310-HXY
SI2310-HXY
35109
3.07р.
HXY MOSFET SI2300-HXY
SI2300-HXY
53879
1.94р.
HXY MOSFET SI2333-HXY
SI2333-HXY
52358
4.74р.
HXY MOSFET SI2300-HXY
SI2300-HXY
87263
2.33р.