Код товара:
AGMH6035DАртикул:
AGMH6035DПроизводитель:
AGMSEMIКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит AGMH6035D PDF
43399
48.74р.
Operating Temperature
-55℃~+150℃Drain to Source Voltage
60V60V 125A 4V 119W 4.2mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs RoHS
Официальный технический даташит AGMSEMI AGMH6035D (артикул AGMH6035D): Даташит AGMH6035D PDF.
Характеристики
Operating Temperature
-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage
60V
Current - Continuous Drain(Id)
125A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Pd - Power Dissipation
119W
RDS(on)
4.2mΩ@10V
Number
1 N-channel
Gate Charge(Qg)
47nC@10V
Type
N-Channel
Package
TO-252
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
2500
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
