Код товара:
AP80N03DАртикул:
AP80N03DПроизводитель:
A Power microelectronicsКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит AP80N03D PDF
35141
6.04р.
Drain to Source Voltage
30VOperating Temperature -
-55℃~+150℃N-Channel 30V 80A 54W Surface Mount TO-252-3
Официальный технический даташит A Power microelectronics AP80N03D (артикул AP80N03D): Даташит AP80N03D PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
30V
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Type
N-Channel
Ciss-Input Capacitance
1.16nF
RDS(on)
6mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
180pF
Number
1 N-channel
Output Capacitance(Coss)
200pF
Pd - Power Dissipation
54W
Gate Charge(Qg)
11.1nC@4.5V
Current - Continuous Drain(Id)
80A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
Package
TO-252-3
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
2500
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
