Код товара:
AP4N65DАртикул:
AP4N65DПроизводитель:
A Power microelectronicsКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит AP4N65D PDF
50434
22.78р.
Output Capacitance(Coss)
69.5pFPd - Power Dissipation
36WN-Channel 650V 4A 36W Surface Mount TO-252-3L
Официальный технический даташит A Power microelectronics AP4N65D (артикул AP4N65D): Даташит AP4N65D PDF.
Характеристики
Output Capacitance(Coss)
69.5pF
Pd - Power Dissipation
36W
Operating Temperature
-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage
650V
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
10.9pF
RDS(on)
2.4Ω@10V
Number
1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)
580pF
Gate Charge(Qg)
15nC@10V
Vgs
±30V
Type
N-Channel
Package
TO-252-3L
Minimum
5
Multiple
5
Standard Packaging
2500
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
