Код товара:
AP20N06DАртикул:
AP20N06DПроизводитель:
A Power microelectronicsКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит AP20N06D PDF
43385
12.14р.
Drain to Source Voltage
60VOperating Temperature -
-55℃~+150℃60V 40mΩ@10V 1 N-channel 31.3W TO-252-3 Single FETs, MOSFETs RoHS
Официальный технический даташит A Power microelectronics AP20N06D (артикул AP20N06D): Даташит AP20N06D PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
60V
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Type
N-Channel
RDS(on)
40mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
46pF
Number
1 N-channel
Pd - Power Dissipation
31.3W
Gate Charge(Qg)
19nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)
20A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
Package
TO-252-3
Minimum
5
Multiple
5
Standard Packaging
2500
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
