Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HIPD25N06S4L30ATMA2
Артикул:
HIPD25N06S4L30ATMA2
Производитель:
HXY MOSFET
9
49.31р.
Ciss-Input Capacitance
1.378nF
Current - Continuous Drain(Id)
30A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.378nF
Current - Continuous Drain(Id)
30A
Drain to Source Voltage
60V
Gate Charge(Qg)
12.6nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
86pF
Package
TO-252-2L
Pd - Power Dissipation
34.7W
RDS(on)
26mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
9pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HIPD25N06S4L30ATMA2
HIPD25N06S4L30ATMA2
9
49.31р.
CRMICRO CRXQF17M120G2Z
CRXQF17M120G2Z
19
1033.49р.
Infineon IMLT65R026M2HXTMA1
IMLT65R026M2HXTMA1
20
1343.34р.
Infineon IMZA65R020M2HXKSA1
IMZA65R020M2HXKSA1
9
1645.04р.
VBsemi Elec IPA70R360P7S-VB
IPA70R360P7S-VB
5
230.89р.