Код товара:
SQJ200EP-T1_GE3Артикул:
SQJ200EP-T1_GE3Производитель:
VISHAYКатегория
Сборки MOSFETДаташит
Даташит SQJ200EP-T1_GE3 PDF
47225
153.19р.
Operating Temperature
-55℃~+175℃Output Capacitance(Coss)
269pF;655pF20V 16W 1.5V 2 N-Channel PowerPAK-SO-8L FET, MOSFET Arrays RoHS
Официальный технический даташит VISHAY SQJ200EP-T1_GE3 (артикул SQJ200EP-T1_GE3): Даташит SQJ200EP-T1_GE3 PDF.
Характеристики
Operating Temperature
-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)
269pF;655pF
Drain to Source Voltage
20V
RDS(on)
8.8mΩ@10V;3.7mΩ@10V
Pd - Power Dissipation
16W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.5V
Type
N-Channel
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
340pF
Number
2 N-Channel
Input Capacitance(Ciss)
975pF
Gate Charge(Qg)
12nC;29nC
Vgs
±20V
Package
PowerPAK-SO-8L
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
