Код товара:
ALD110802SCLАртикул:
ALD110802SCLПроизводитель:
Advanced Linear DevicesКатегория
Сборки MOSFETДаташит
Даташит ALD110802SCL PDF
6396
949.70р.
Drain to Source Voltage
10.6VPd - Power Dissipation
500mW10.6V 500mW 500Ω 220mV 4 N-Channel SOIC-16 FET, MOSFET Arrays RoHS
Официальный технический даташит Advanced Linear Devices ALD110802SCL (артикул ALD110802SCL): Даташит ALD110802SCL PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
10.6V
Pd - Power Dissipation
500mW
RDS(on)
500Ω
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
220mV
Type
N-Channel
Number
4 N-Channel
Input Capacitance(Ciss)
2.5pF
Operating Temperature
0℃~+70℃
Package
SOIC-16
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
50
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
