Код товара:
ALD1102ASALАртикул:
ALD1102ASALПроизводитель:
Advanced Linear DevicesКатегория
Сборки MOSFETДаташит
Даташит ALD1102ASAL PDF
21539
1109.02р.
Drain to Source Voltage
10VPd - Power Dissipation
500mW10V 500mW 1.2V 2 P-Channel SOIC-8 FET, MOSFET Arrays RoHS
Официальный технический даташит Advanced Linear Devices ALD1102ASAL (артикул ALD1102ASAL): Даташит ALD1102ASAL PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
10V
Pd - Power Dissipation
500mW
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.2V
Type
P-Channel
Number
2 P-Channel
Operating Temperature
0℃~+70℃
Package
SOIC-8
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
50
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
