Код товара:
ALD1101BPALАртикул:
ALD1101BPALПроизводитель:
Advanced Linear DevicesКатегория
Сборки MOSFETДаташит
Даташит ALD1101BPAL PDF
71106
1344.13р.
Drain to Source Voltage
10VCurrent - Continuous Drain(Id)
40mA10V 40mA 500mW 75Ω 1V 2 N-Channel PDIP-8 FET, MOSFET Arrays RoHS
Официальный технический даташит Advanced Linear Devices ALD1101BPAL (артикул ALD1101BPAL): Даташит ALD1101BPAL PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
10V
Current - Continuous Drain(Id)
40mA
Pd - Power Dissipation
500mW
RDS(on)
75Ω
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1V
Type
N-Channel
Number
2 N-Channel
Operating Temperature
0℃~+70℃
Package
PDIP-8
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
50
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
