Код товара:
BZD27C13P R3GАртикул:
BZD27C13P R3GПроизводитель:
Taiwan SemiconductorКатегория
Одиночные стабилитроныДаташит
Даташит BZD27C13P R3G PDF
19863
9.26р.
Diode Configuration
1 IndependentOperating Junction Temperature Range
-55℃~+175℃Zener Diode Independent 13.25V 1W SubSMA
Официальный технический даташит Taiwan Semiconductor BZD27C13P R3G (артикул BZD27C13P R3G): Даташит BZD27C13P R3G PDF.
Характеристики
Diode Configuration
1 Independent
Operating Junction Temperature Range
-55℃~+175℃
Pd - Power Dissipation
1W
Reverse Leakage Current (Ir)
50uA@10V
Impedance(Zzt)
10Ω
Zener Voltage(Range)
12.4V~14.1V
Zener Voltage(Nom)
13.25V
Package
SubSMA
Minimum
5
Multiple
5
Standard Packaging
1800
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85411011
HTS_TARIC
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_CN
8541100000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_CA
8541100090
HTS_US
8541100040
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
