Код товара:
ESH2DАртикул:
ESH2DПроизводитель:
Taiwan SemiconductorКатегория
Одиночные диодыДаташит
Даташит ESH2D PDF
31905
11.30р.
Reverse Recovery Time (trr)
20nsDiode Configuration
1 Independent20ns 1 Independent 200V 900mV@2A 2A DO-214AA(SMB) Single Diodes RoHS
Официальный технический даташит Taiwan Semiconductor ESH2D (артикул ESH2D): Даташит ESH2D PDF.
Характеристики
Reverse Recovery Time (trr)
20ns
Diode Configuration
1 Independent
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
200V
Operating Junction Temperature Range
-55℃~+175℃
Voltage - Forward(Vf@If)
900mV@2A
Reverse Leakage Current (Ir)
2uA@200V
Current - Rectified
2A
Package
DO-214AA(SMB)
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85411011
HTS_TARIC
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_CN
8541100000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_CA
8541100090
HTS_US
8541100040
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
