Код товара:
BAS19W RVGАртикул:
BAS19W RVGПроизводитель:
Taiwan SemiconductorКатегория
Одиночные диодыДаташит
Даташит BAS19W RVG PDF
48939
5.39р.
Reverse Recovery Time (trr)
50nsVoltage - DC Reverse (Vr) (Max)
100V50ns 100V 1.25V@100mA 200mA SOT-323 Single Diodes RoHS
Официальный технический даташит Taiwan Semiconductor BAS19W RVG (артикул BAS19W RVG): Даташит BAS19W RVG PDF.
Характеристики
Reverse Recovery Time (trr)
50ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
100V
Operating Junction Temperature Range
-55℃~+150℃
Pd - Power Dissipation
200mW
Voltage - Forward(Vf@If)
1.25V@100mA
Reverse Leakage Current (Ir)
100nA@100V
Current - Rectified
200mA
Package
SOT-323
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85411011
HTS_TARIC
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_CN
8541100000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_CA
8541100090
HTS_US
8541100040
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
