Код товара:
31DF6Артикул:
31DF6Производитель:
Taiwan SemiconductorКатегория
Одиночные диодыДаташит
Даташит 31DF6 PDF
43861
27.41р.
Reverse Recovery Time (trr)
35nsDiode Configuration
1 Independent35ns 1 Independent 600V 1.7V@3A 3A DO-201AD Single Diodes RoHS
Официальный технический даташит Taiwan Semiconductor 31DF6 (артикул 31DF6): Даташит 31DF6 PDF.
Характеристики
Reverse Recovery Time (trr)
35ns
Diode Configuration
1 Independent
Operating Junction Temperature Range
-40℃~+150℃
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600V
Voltage - Forward(Vf@If)
1.7V@3A
Reverse Leakage Current (Ir)
20uA@600V
Current - Rectified
3A
Package
DO-201AD
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
1250
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85411011
HTS_TARIC
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_CN
8541100000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_CA
8541100090
HTS_US
8541100040
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
