Код товара:
1N5817G/TRАртикул:
1N5817G/TRПроизводитель:
MICROCHIPКатегория
Одиночные диодыДаташит
Даташит 1N5817G/TR PDF
52649
1189.91р.
Diode Configuration
1 IndependentOperating Junction Temperature Range
-65℃~+150℃1 Independent 20V 450mV@1A 1A DO-41 Single Diodes
Официальный технический даташит MICROCHIP 1N5817G/TR (артикул 1N5817G/TR): Даташит 1N5817G/TR PDF.
Характеристики
Diode Configuration
1 Independent
Operating Junction Temperature Range
-65℃~+150℃
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
20V
Voltage - Forward(Vf@If)
450mV@1A
Reverse Leakage Current (Ir)
1mA@20V
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
50A
Current - Rectified
1A
Package
DO-41
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
154
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85411011
HTS_TARIC
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_CN
8541100000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_CA
8541100090
HTS_US
8541100040
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
