Код товара:
1N5809Артикул:
1N5809Производитель:
MICROCHIPКатегория
Одиночные диодыДаташит
Даташит 1N5809 PDF
28977
343.71р.
Reverse Recovery Time (trr)
30nsVoltage - DC Reverse (Vr) (Max)
100V30ns 100V 875mV@4A 3A Through Hole Single Diodes
Официальный технический даташит MICROCHIP 1N5809 (артикул 1N5809): Даташит 1N5809 PDF.
Характеристики
Reverse Recovery Time (trr)
30ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
100V
Operating Junction Temperature Range
-65℃~+175℃
Voltage - Forward(Vf@If)
875mV@4A
Reverse Leakage Current (Ir)
5uA@100V
Current - Rectified
3A
Package
Through Hole
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
1
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85411011
HTS_TARIC
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_CN
8541100000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_CA
8541100090
HTS_US
8541100040
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
