Код товара:
US2GBFАртикул:
US2GBFПроизводитель:
MDD(Microdiode Semiconductor)Категория
Одиночные диодыДаташит
Даташит US2GBF PDF
77281
3.02р.
Reverse Recovery Time (trr)
50nsVoltage - DC Reverse (Vr) (Max)
400V50ns 400V 1 Independent 1.3V@2A 2A SMBF Single Diodes RoHS
Официальный технический даташит MDD(Microdiode Semiconductor) US2GBF (артикул US2GBF): Даташит US2GBF PDF.
Характеристики
Reverse Recovery Time (trr)
50ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
400V
Diode Configuration
1 Independent
Operating Junction Temperature Range
-55℃~+150℃
Voltage - Forward(Vf@If)
1.3V@2A
Reverse Leakage Current (Ir)
5uA@400V
Current - Rectified
2A
Package
SMBF
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
5000
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85411011
HTS_TARIC
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_CN
8541100000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_CA
8541100090
HTS_US
8541100040
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
