Код товара:
G410DSАртикул:
G410DSПроизводитель:
Jingdao MicroelectronicsКатегория
Одиночные диодыДаташит
Даташит G410DS PDF
39055
3.54р.
Operating Junction Temperature Range
-55℃~+150℃Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1kVDiode Independent 1kV 4A Surface Mount TO-252-2
Официальный технический даташит Jingdao Microelectronics G410DS (артикул G410DS): Даташит G410DS PDF.
Характеристики
Operating Junction Temperature Range
-55℃~+150℃
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1kV
Diode Configuration
Standalone
Voltage - Forward(Vf@If)
1.1V@4A
Reverse Leakage Current (Ir)
5uA@1kV
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
140A
Current - Rectified
4A
Package
TO-252-2
Minimum
10
Multiple
10
Standard Packaging
2500
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85411011
HTS_TARIC
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_CN
8541100000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_CA
8541100090
HTS_US
8541100040
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
