Код товара:
MBR2X080A100Артикул:
MBR2X080A100Производитель:
GeneSiC SemiconductorКатегория
Диодные сборкиДаташит
Даташит MBR2X080A100 PDF
32199
9503.41р.
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
900ADiode Configuration
2 Independent2 Independent 160A 100V 840mV@80A SOT-227 Diode Arrays RoHS
Официальный технический даташит GeneSiC Semiconductor MBR2X080A100 (артикул MBR2X080A100): Даташит MBR2X080A100 PDF.
Характеристики
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
900A
Diode Configuration
2 Independent
Current - Rectified
160A
Operating Junction Temperature Range
-40℃~+150℃
Voltage - DC Reverse(Vr)
100V
Reverse Leakage Current (Ir)
1mA@100V
Voltage - Forward(Vf@If)
840mV@80A
Package
SOT-227
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
52
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85411011
HTS_TARIC
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_CN
8541100000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_CA
8541100090
HTS_US
8541100040
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
