Код товара:
BFS17NQTAАртикул:
BFS17NQTAПроизводитель:
DIODESКатегория
Биполярные РЧ-транзисторыДаташит
Даташит BFS17NQTA PDF
39335
33.30р.
Emitter-Base Voltage(Vebo)
3VCurrent - Collector Cutoff
500nA11V 56 310mW 50mA NPN SOT-23-3 Bipolar RF Transistors RoHS
Официальный технический даташит DIODES BFS17NQTA (артикул BFS17NQTA): Даташит BFS17NQTA PDF.
Характеристики
Emitter-Base Voltage(Vebo)
3V
Current - Collector Cutoff
500nA
Collector - Emitter Voltage VCEO
11V
DC Current Gain
56
Pd - Power Dissipation
310mW
Current - Collector(Ic)
50mA
Configuration
Standalone
Transition frequency(fT)
3.2GHz
Vce Saturation(VCE(sat))
500mV
type
NPN
Number
1 NPN
Package
SOT-23-3
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412199
HTS_TARIC
8541210000
HTS_IN
85412100
HTS_CN
8541210000
HTS_MX
8541.21.01
HTS_CA
8541210000
HTS_US
8541210095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.