Код товара:
H3V3N10BАртикул:
H3V3N10BПроизводитель:
R+OКатегория
TVS-диодыДаташит
Даташит H3V3N10B PDF
10279
1.30р.
Clamping Voltage
10VOperating Temperature
-55℃~+125℃10VC Clamp 8A@8/20us Ipp ESD DIODE DFN1006-2L
Официальный технический даташит R+O H3V3N10B (артикул H3V3N10B): Даташит H3V3N10B PDF.
Характеристики
Clamping Voltage
10V
Operating Temperature
-55℃~+125℃
Peak Pulse Current (Ipp)
8A@8/20us
Peak Pulse Power Dissipation (Ppp)
80W@8/20us
Number of Channels
1
Voltage - Breakdown
6V
type
ESD
Reverse Leakage Current (Ir)
50nA
Polarity
Bidirectional
Reverse Stand-Off Voltage (Vrwm)
3.3V
Package
DFN1006-2L
Minimum
50
Multiple
50
Standard Packaging
10000
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85411011
HTS_TARIC
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_CN
8541100000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_CA
8541100090
HTS_US
8541100040
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
